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作者: chrispherd (Mr. Darcy) 看板: Tech_Job
標題: [新聞] 解構英特爾FinFET：fin更少、更像三角形
時間: Mon May 21 00:46:26 2012
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公佈英特爾(Intel) 22nm Ivy Bridge處理器的剖面
圖，從中可見英特爾稱為三閘極(tri-gate)電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際
上是幾乎呈現三角形的梯形。
這顆被解剖的IC是用於伺服器的64位元四核心 Xeon E3-1230 處理器，Chipworks是在香
港取得該元件。
三角形部分與英特爾曾經在2011年展示過的理想化矩形截面明顯不同。然而，目前尚不清
楚這些fin的非垂直側邊是否為製造過程然產生且無關緊要；亦或是英特爾故意如此設計
，而且將對電子遷移率或良率造成關鍵影響。
從蘇格蘭格拉斯哥大學獨立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase
Asenov在網路上回應道：業界對於這種形成「塊狀」(bulk) FinFET的梯形或是近似三角
形結構的優缺點有諸多揣測。GSS已經使用其名為Garand的3D TCAD模擬器對FinFET進行了
模擬分析。
GSS的模擬被用於探索英特爾梯形電晶體閘極長度，以及等效矩形鰭(fin)電晶體對閾值電
壓的影響。“顯然，矩形fin具有較好的短通道效應。但儘管如此，一個與數百萬美元成
本相關的問題，仍在於這種幾近三角形的形狀──這會是一種通用型設計嗎？或是這種塊
狀FinFET技術能實現在fin蝕刻方面？”
就尺寸而言，矩形與梯形FinFET並沒有明顯差異，但並不具備摻雜濃度相關知識的GSS假
設了一個淺摻雜通道。GSS同時表示，在淺溝漕隔離(STI)區域中，fin下方有一個高滲雜
濃度固定器(doping concentration stopper)。“顯然，與傳統的塊狀MOSFET相較，
FinFET看起來複雜度要高出許多，”GSS表示。
Source Form : http://ppt.cc/cI1T
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 163.25.118.139
→ chapman07:文法好不順= = 05/21 00:52
標題: [新聞] 解構英特爾FinFET：fin更少、更像三角形
時間: Mon May 21 00:46:26 2012
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公佈英特爾(Intel) 22nm Ivy Bridge處理器的剖面
圖，從中可見英特爾稱為三閘極(tri-gate)電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際
上是幾乎呈現三角形的梯形。
這顆被解剖的IC是用於伺服器的64位元四核心 Xeon E3-1230 處理器，Chipworks是在香
港取得該元件。
三角形部分與英特爾曾經在2011年展示過的理想化矩形截面明顯不同。然而，目前尚不清
楚這些fin的非垂直側邊是否為製造過程然產生且無關緊要；亦或是英特爾故意如此設計
，而且將對電子遷移率或良率造成關鍵影響。
從蘇格蘭格拉斯哥大學獨立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase
Asenov在網路上回應道：業界對於這種形成「塊狀」(bulk) FinFET的梯形或是近似三角
形結構的優缺點有諸多揣測。GSS已經使用其名為Garand的3D TCAD模擬器對FinFET進行了
模擬分析。
GSS的模擬被用於探索英特爾梯形電晶體閘極長度，以及等效矩形鰭(fin)電晶體對閾值電
壓的影響。“顯然，矩形fin具有較好的短通道效應。但儘管如此，一個與數百萬美元成
本相關的問題，仍在於這種幾近三角形的形狀──這會是一種通用型設計嗎？或是這種塊
狀FinFET技術能實現在fin蝕刻方面？”
就尺寸而言，矩形與梯形FinFET並沒有明顯差異，但並不具備摻雜濃度相關知識的GSS假
設了一個淺摻雜通道。GSS同時表示，在淺溝漕隔離(STI)區域中，fin下方有一個高滲雜
濃度固定器(doping concentration stopper)。“顯然，與傳統的塊狀MOSFET相較，
FinFET看起來複雜度要高出許多，”GSS表示。
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→ chapman07:文法好不順= = 05/21 00:52
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